600-woltowy tranzystor superzłączowy do wysokonapięciowych systemów zasilania

Alpha and Omega Semiconductor wprowadza na rynek rodzinę superzłączowych tranzystorów MOSFET αMOS7 o napięciu przebicia 600 V. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w aplikacjach wysokonapięciowych, w których krytycznym parametrem są straty mocy, w tym w systemach zasilania serwerów i stacji roboczych, stacjach ładowania oraz w układach napędowych. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej rodziny αMOS5, charakteryzują się dwukrotnie mniejszą powierzchnią aktywną.

Od stosowanych obecnie zasilaczy serwerowych wymaga się zapewnienie sprawności w klasie Titanium, co przekłada się na sprawność szczytową przekraczającą 98,5%, zarówno w stopniu PFC, jak i LLC. Warianty Active-Bridge i Bridgeless są łatwe w implementacji, jednak dużym problemem dla projektantów jest zapewnienie małych strat mocy, zwłaszcza w zakresie małych obciążeń. Ze względu na duży rozstaw wewnętrznych komórek w strukturze i duży ładunek wewnętrzny, niełatwo jest spełnić wymogi w zakresie sprawności energetycznej, korzystając z istniejących technologii produkcji tranzystorów mocy.

Tranzystory superzłączowe nowej rodziny αMOS7 charakteryzują się jednocześnie małą rezystancją przewodzenia i małymi pojemnościami wewnętrznymi. Dzięki szerokiemu obszarowi SOA, zapewniają odporność na duże impulsy prądu rozruchowego. Pierwszy tranzystor z nowej rodziny, AOK050V60A7, jest zamykany w obudowie TO-247. Charakteryzuje się  napięciem znamionowym 600 V i rezystancją kanału 50 mΩ. Jego małe pojemności wewnętrzne zapewniają krótkie czasy włączania i wyłączania, zmniejszając ryzyko równoczesnego wprowadzenia w stan przewodzenia obu tranzystorów (high-side i low-side) w wyjściowym stopniu mocy. Ceny hurtowe modelu AOK050V60A7 zaczynają się od 9,27 USD przy zamówieniach in 1000 sztuk. W najbliższym czasie w ofercie firmy Alpha and Omega mają się też pojawić warianty o rezystancji R_DS(on) równej 32, 40, 65 i 105 mΩ.

Pozostałe parametry AOK050V60A7:

• V_DS @ T_j, maks.: 650 V,
• V_GS: ±20 V,
• I_D: 50 A @ 25°C,
• I_DM: 200 A,
• R_DS(ON), maks.: <0,05 Ω,
• Qg, typ: 70 nC,
• Eoss @ 400 V: 9,9 mJ.