1200-woltowy tranzystor CoolSiC MOSFET nowej generacji w obudowie TO263-7
Infineon wprowadza na rynek nową generację 1200-woltowych tranzystorów CoolSiC MOSFET w obudowach TO263-7, zaprojektowanych do zastosowań w motoryzacji. Są to tranzystory o dużej gęstości mocy i małych stratach, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w ładowarkach dwukierunkowych i konwerterach DC-DC. W porównaniu z tranzystorami CoolSiC pierwszej generacji wykazują mniejsze o 25% straty przy przełączaniu, co umożliwia pracę z większą częstotliwością taktowania i zwiększa gęstość mocy. Napięcie VGS przekraczające 4 V i bardzo mały stosunek pojemności Crss/ Ciss, zapewniają niezawodne wyłączanie przy VGS=0 V, bez ryzyka przypadkowego włączenia tranzystora wskutek zadziałania parametrów pasożytniczych. Umożliwia to sterowanie unipolarne, a co za tym idzie, zmniejszenie stopnia skomplikowania systemu i obniżenie kosztu komponentów. Mała rezystancja RDS(on) ogranicza straty konduktancyjne w całym zakresie dopuszczalnej temperatury pracy od -55 do +175°C.
Pierwszym tranzystorem z nowej oferty jest AIMBG120R010M1, charakteryzujący się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 205 A @ 25°C i dopuszczalnym prądem szczytowym 50 A. Jego rezystancja RDS(on) wynosi 8,7 mΩ @ VGS=20 V. Droga upływu, wynosząca min. 5,85 mm, pozwala na zastosowania w aplikacjach 800-woltowych, bez konieczności stosowania powłoki ochronnej.
