Małostratne tranzystory n-MOSFET do zastosowań w układach zasilania i napędowych

Za straty mocy w tranzystorach MOSFET w największym stopniu odpowiedzialne są dwa parametry: rezystancja R_DS(ON), odwrotnie proporcjonalna do rozmiaru chipa oraz ładunek Qgd, który rośnie proporcjonalnie do rozmiaru chipa. W tranzystorach MOSFET nowych serii RS6xxxxBx i RH6xxxxBx, firma ROHM poprawiła kompromis między tymi dwoma parametrami, dzięki zastosowaniu miedzianych połączeń typu clip i zmodyfikowanej strukturze bramki. Pozwoliło to na uzyskanie mniejszej o około 50% rezystancji R_DS(ON) w porównaniu z tranzystorami konwencjonalnymi, wynoszącej od 2,1 mΩ w 60-woltowych tranzystorach produkowanych w obudowach HSOP8 oraz na zredukowanie o około 40% ładunku Qgd. W konsekwencji, zredukowano straty na przełączanie i przewodzenie, pozwalając uzyskać w typowym zasilaczu przemysłowym sprawność energetyczną rzędu 95%.

n-kanałowe tranzystory MOSFET serii RS6xxxxBx i RH6xxxxBx są produkowane w 13 wariantach na napięcia znamionowe 40, 60, 80, 100 i 150 V. Charakteryzują się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu do 120 A. Są polecane do zastosowań w zasilaczach do systemów komunikacyjnych i serwerów oraz w układach napędowych. Występują w dwóch typach obudów: HSOP8 (6,0 x 5,0 x 1,0 mm) i HSMT8 (3,3 x 3,3 x 0,8 mm).