80- i 100-woltowe tranzystory n-MOSFET rodziny NextPower w obudowach LFPAK56 i LFPAK88
Iloczyn Qg*RDS(ON) jest od dawna przedmiotem zainteresowania producentów półprzewodników, którzy chcą zmniejszyć straty przy pracy impulsowej tranzystorów MOSFET. Jednak nieustanne obniżanie jego wartości powoduje jednocześnie zwiększanie przepięć podczas włączania/wyłączania tranzystora, a w konsekwencji zwiększenie poziomu generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. Po zidentyfikowaniu tego problemu, firma Nexperia zaczęła badać sposoby jego wyeliminowania, czego wynikiem było opracowanie serii 80- i 100-woltowych tranzystorów MOSFET NextPower o obniżonym do 50 nC ładunku Qrr, pozwalającym jednocześnie zredukować prąd regeneracji (Irr) i przepięcia.
Obecnie tranzystory te są zamykane w mniejszych obudowach LFPAK56 (6 x 5 x 1,1 mm) i LFPAK88 (8 x 8 x 1,6 mm). Mogą pracować przy temperaturze złącza sięgającej +175°C. Charakteryzują się dopuszczalnym prądem do 325 A w zależności od modelu, rezystancją RDS(ON) od 1,3 mΩ @ VGS=10 V i ładunkiem Qg od 24 nC @ VGS=10 V. Są produkowane na zakres mocy znamionowych od 105 do 341 W.
