Do oferty tranzystorów MOSFET firmy Toshiba, produkowanych w technologii U-MOS-X, wchodzi nowy model TPH3R10AQM, zaprojektowany do zastosowań w układach zasilania. Jest to tranzystor n-kanałowy o napięciu przebicia 100 V, charakteryzujący się szerokim obszarem bezpiecznej pracy (SOA) i małą rezystancją RDS(ON), wynoszącą maksymalnie 3,1 mΩ @ VGS=10 V. Jest ona mniejsza o 16% od wcześniejszego modelu TPH3R70APL.
Tranzystor może pracować z maksymalnym prądem drenu 120 A. Charakteryzuje się małym ładunkiem QSW, pozwalającym na zastosowania w aplikacjach o dużej częstotliwości przełączania. Jego obszar SAO został poszerzony o 76% w porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji, co jest istotne w obwodach hot-swap. Dodatkową zaletą jest mała powierzchnia montażowa, wynosząca 6,1 x 4,9 mm.
Pozostałe parametry: