100-woltowy tranzystor n-MOSFET do zastosowań w układach zasilania

Do oferty tranzystorów MOSFET firmy Toshiba, produkowanych w technologii U-MOS-X, wchodzi nowy model TPH3R10AQM, zaprojektowany do zastosowań w układach zasilania. Jest to tranzystor n-kanałowy o napięciu przebicia 100 V, charakteryzujący się szerokim obszarem bezpiecznej pracy (SOA) i małą rezystancją R_DS(ON), wynoszącą maksymalnie 3,1 mΩ @ V_GS=10 V. Jest ona mniejsza o 16% od wcześniejszego modelu TPH3R70APL.

Tranzystor może pracować z maksymalnym prądem drenu 120 A. Charakteryzuje się małym ładunkiem Q_SW, pozwalającym na zastosowania w aplikacjach o dużej częstotliwości przełączania. Jego obszar SAO został poszerzony o 76% w porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji, co jest istotne w obwodach hot-swap. Dodatkową zaletą jest mała powierzchnia montażowa, wynosząca 6,1 x 4,9 mm.

Pozostałe parametry:

• Q_SW: typ. 32 nC,
• Q_oss: typ. 88 nC,
• I_DSS: maks. 10 μA @ V_DS=100 V,
• V_th: 2,5...3,5 V (V_DS=10 V, I_D=0,5 mA),
• V_GSS: ±20 V,
• P_D: 210 W @ Tc=25°C,
• EAS: 128 mJ.