Sterowniki bramek tranzystorów GaN z wewnętrzną izolacją galwaniczną

Do oferty firmy STMicroelectronics wchodzą dwa sterowniki bramek tranzystorów GaN, wyposażone w wewnętrzną barierę izolacyjną: STGAP2GS i STGAP2GSN. Różnią się one typem obudowy i napięciem roboczym. STGAP2GS, zamykany w obudowie SO-8W wide body, charakteryzuje się napięciem roboczym do 1200 V, natomiast w przypadku STGAP2GSN, zamykanego w obudowie SO-8 narrow body, napięcie robocze wynosi 1700 V. Oba układy zapewniają wydajność prądową 2 A / 3 A (source/sink), a ich napięcie wyjściowe, sterujące bramką tranzystora, sięga 15 V. Stopień wejściowy jest odporny na przepięcia o szybkości narastania do ±100 V/ns w całym zakresie temperatury pracy. Czas propagacji wynosi 45 ns. Wejścia są kompatybilne z sygnałami TTL/CMOS 3,3 i 5 V. Do standardowego wyposażenia należy zabezpieczenie termiczne i podnapięciowe. Firma STMicroelectronics oferuje do obu układów płytki demonstracyjne (ozn. EVSTGAP2GS i EVSTGAP2GSN).

Ceny hurtowe STGAP2GS i STGAP2GSN zaczynają się od 1,42 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.