150-woltowe tranzystory Trench MOSFET 8. generacji w obudowach D2PAK-7L i PDFN56
Firma Magnachip Semiconductor prezentuje dwa nowe tranzystory n-MOSFET 8. generacji, MDES15N056PTRH i MDU150N113PTVRH, zamykane w obudowach odpowiednio D2PAK-7L (10,2 x 9,4 x 4,7 mm) i PDFN56 (6,3 x 5,3 x 1,1 mm). Są to tranzystory 150-woltowe, wyprodukowane w procesie Trench, pozwalającym zmniejszyć rezystancję RDS(ON) i straty na przewodzenie. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej generacji, ich rezystancja RDS(ON) została zredukowana średnio o 22%. Z kolei współczynnik FOM, będący iloczynem RDS(ON) x Qg, został zredukowany odpowiednio o 23% i 39%.
MDES15N056PTRH charakteryzuje się rezystancją RDS(ON) równą 5,6 mΩ i może przewodzić maksymalny ciągły prąd drenu 182 A przy idealnym chłodzeniu. W przypadku MDU150N113PTVRH rezystancja RDS(ON) wynosi 11,3 mΩ, a dopuszczalny prąd drenu 64 A. Oba modele są polecane do zastosowań w układach napędowych i systemach zarządzania zasilaniem. Ich dopuszczalna temperatura pracy złącza wynosi od -55 do +175°C.
|
|
MDES15N056PTRH |
MDU150N113PTVRH |
|
VDS |
150 V |
150 V |
|
ID (Tc=25°C) |
182 A |
64 A |
|
IDM (Tc=25°C) |
726 A |
256 A |
|
RDS(ON) maks. |
5,6 mΩ (VGS=10 V, ID=70 A) |
11,3 mΩ (VGS=10 V, ID=35 A) |
|
Qg typ. |
90 nC (VDD=75 V, ID=70 A, VGS=0...10 V) |
36 nC (VDD=75 V, ID=35 A, VGS=0...10 V) |
|
CISS typ. |
6418 pF (VGS=0 V, VDS=75 V, f=1 MHz) |
2840 pF (VGS=0 V, VDS=75 V, f=1 MHz) |
|
COSS typ. |
688 pF (VGS=0 V, VDS=75 V, f=1 MHz) |
315 pF (VGS=0 V, VDS=75 V, f=1 MHz) |
|
Obudowa |
D2PAK-7L (10,2 x 9,4 x 4,7 mm) |
PDFN56 (6,3 x 5,3 x 1,1 mm) |
