Półmostkowy moduł SiC MOSFET 1200 V o małej rezystancji RDS(ON)
SD11487 to półmostkowy moduł z dwoma tranzystorami SiC MOSFET o napięciu przebicia 1200 V, dwiema zabezpieczającymi diodami Schottky'ego i termistorem NTC, przeznaczony do aplikacji wymagających komponentów o dużej niezawodności. Może on pracować z maksymalnym wyjściowym prądem ciągłym 95 A. Wyróżnia się bardzo małą rezystancją RDS(ON), wynoszącą 12 mΩ. Jest zamykany w hermetycznej obudowie o wymiarach 51 x 30 x 8 mm z umieszczonymi na przeciwległych bokach liniami sterującymi i wysokoprądowymi.
SD11487 to moduł o dużej niezawodności i odporności na ciężkie warunki pracy, którego zakres dopuszczalnej temperatury roboczej rozciąga się od -55 do +175°C. Może znaleźć zastosowanie w przemyśle wydobywczym, awionice i urządzeniach pracujących w przestrzeni kosmicznej. Hermetyczna, miedziana obudowa z podłożem z azotku aluminium zapewnia bardzo dobre odprowadzanie ciepła do radiatora. Wbudowany czujnik NTC umożliwia realizację zabezpieczenia termicznego.
