Niezawodne 100- i 650-woltowe tranzystory GaN HEMT na zakres temperatury pracy od -55 do +125°C
Teledyne e2v HiRel wprowadza do oferty trzy popularne tranzystory GaN HEMT: TDG650E30BSP, TDG100E90BSP i TDG100E90TSP w wersjach o podwyższonej niezawodności. Przeszły one testy przesiewowe NASA Level 1 i ESA Class 1, a w razie konieczności mogą być też dostarczane w wersjach w pełni zgodnych ze specyfikacjami Level 1. Są to tranzystory o parametrach znamionowych 100 V/90 A i 650 V/30 A, których typowe zastosowania obejmują systemy zarządzania zasilaniem, przetwornice DC-DC i układy napędowe w aplikacjach mission-critical. Są one przystosowane do pracy w rozszerzonym zakresie temperatury otoczenia od -55 do +125°C, co pozwala na zastosowania również w sprzęcie wojskowym.
Modele 100-woltowe TDG100E90BSP i TDG100E90TSP występują w wariantach z chłodzeniem dolnej lub górnej powierzchni struktury (bottom-side, top-side cooled). Model 650-woltowy TDG650E30BSP występuje wyłącznie w wariancie bottom-side.
|
|
TDG650E30BSP |
TDG100E90BSP |
TDG100E90TSP |
|
VDS |
650 V |
100 V |
100 V |
|
IDS(maks.) @ +25°C, VGS=6 V |
30 A (60 A w impulsie 50 µs) |
90 A (140 A w impulsie 50 µs) |
|
|
RDS(ON) |
50 mΩ |
7 mΩ |
7 mΩ |
|
Maks. częstotliwość pracy |
>100 MHz |
>100 MHz |
>10 MHz |
|
VG |
0...6 V (tolerancja na przepięcia od -20 V do +10 V) |
||
|
RΘJC |
0,5 °C/W |
0,55 °C/W |
|
|
QG |
6,1 nC |
8 nC |
|
|
CISS |
242 pF |
600 pF |
|
|
COSS |
65 pF |
250 pF |
|
|
Wymiary (maks.) |
8,5 x 7,1 x ,56 mm |
7,55 x 4,59 x 0,51 mm |
7,0 x 4,0 x 0,54 mm |
