Superzłączowe tranzystory MOSFET 650 V w obudowach PDFN88 o grubości 0,85 mm

Do oferty 650-woltowych, superzłączowych tranzystorów MOSFET firmy Magnachip Semiconductor wchodzą dwa nowe modele, zamykane w płaskich obudowach PDFN88 o powierzchni 8 x 8 mm i grubości zaledwie 0,85 mm - mniejszej o ponad 80% od wersji w obudowach D2PAK oraz o ponad 60% od wersji w obudowach DPAK. W porównaniu z wcześniejszymi modelami, charakteryzują się one większym dopuszczalnym prądem drenu i mniejszą rezystancją R_DS(ON). Zawierają podwójne wyprowadzenie źródła, zmniejszające straty mocy przy pracy impulsowej.

MMUB65R090RURH to tranzystor o maksymalnej rezystancji R_DS(ON) równej 90 mΩ, maksymalnym ciągłym prądzie drenu 35 A i ładunku bramki 78,9 nC. W przypadku MMUB65R115RURH parametry te wynoszą 115 mΩ, 30 A i 64 nC. Oba modele mogą pracować w szerokim zakresie temperatury złącza od -55 do +150°C.