Tranzystory SuperGaN FET 650 V do przemysłowych konwerterów DC-DC i serwonapędów

TP65H035G4YS i TP65H050G4YS to 650-woltowe tranzystory SuperGaN FET, zamykane w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247, mogące stanowić tańsze zamienniki tranzystorów SiC w przemysłowych konwerterach DC-DC, systemach energii odnawialnej i serwonapędach. Są one produkowane w procesie GaN-on-Silicon na tradycyjnych liniach technologicznych do produkcji podzespołów krzemowych. Charakteryzują się małą rezystancją RDS(ON), wynoszącą odpowiednio 35 i 50 mΩ, a podwójne wyprowadzenie źródła pozwala dodatkowo zmniejszyć straty w impulsowych układach zasilania. Przykładowo, w konwerterze DC-DC boost, model TP65H035G4YS pozwolił zmniejszyć straty mocy o 15% przy częstotliwości taktowania 50 kHz oraz o 27% przy 100 kHz w porównaniu z tranzystorem SiC MOSFET o zbliżonej rezystancji RDS(ON).

TP65H035G4YS i TP65H050G4YS mogą pracować z maksymalnym ciągłym prądem drenu odpowiednio 46,5 A i 35 A @ +25°C oraz z prądem impulsowym to 240 A i 150 A (10 µs). Ich zakres dopuszczalnej temperatury pracy rozciąga się od -55 do +150°C.

 

VDS

RDS(ON)

Vth

ID (25°C)

QRR

QG

TP65H035G4YS

650 V

35 mΩ

3,6 V

46,5 A

142 nC

42,7 nC

TP65H050G4YS

650 V

50 mΩ

4,0 V

35 A

120 nC

16 nC

 

Zapytania ofertowe
Tranzystory SuperGaN FET 650 V do przemysłowych konwerterów DC-DC i serwonapędów
Zapytanie ofertowe