Superzłączowe 600-woltowe tranzystory MOSFET w niskoprofilowych obudowach SOT-223-3

Firma Rohm wprowadza do oferty 5 nowych, superzłączowych tranzystorów MOSFET, zamykanych w niskoprofilowych obudowach SOT-223-3 o wymiarach 7,0 x 6,5 x 1,7 mm, mniejszych pod względem powierzchni i grubości odpowiednio o 31% i 27% od poprzednich wersji, zamykanych w obudowach TO-252. Charakteryzują się one krótkimi czasami przełączania i regeneracji. Identyczny rozkład wyprowadzeń, jak w przypadku standardu TO-252, umożliwia montaż na wcześniej zaprojektowanych płytkach drukowanych, bez konieczności wprowadzania modyfikacji w projektach. W zależności od wersji, dopuszczalny prąd drenu wynosi od 1,0 A do 2,8 A.

Model R6004END4 wyróżnia się małymi szumami, a R6003KND4 i R6006KND4 to tranzystory o dużej szybkości przełączania, polecane do zastosowań w aplikacjach wymagających dużej sprawności energetycznej. Z kolei R6002JND4 i R6003JND4 to tranzystory zrealizowane w technologii PrestoMOS o małych stratach przy pracy impulsowej, wynikających z krótkiego czasu regeneracji (trr) na poziomie 40 ns.

Na stronie internetowej firmy Rohm jest dostępna pełna dokumentacja tranzystorów z nowej oferty, włącznie z notami aplikacyjnymi i modelami do symulacji Spice.

 

VDSS

ID

RDS(ON)

@ VGS=15 V

trr

QG [nC]

@ VGS=15 V

typ.

maks.

R6004END4

600 V

2,4 A

0,9 Ω

0,98 Ω

320 ns

15 nC

R6003KND4

1,3 A

1,3 Ω

1,5 Ω

240 ns

8 nC

R6006KND4

2,8 A

0,72 Ω

0,87 Ω

290 ns

12 nC

R6002JND4

1,0 A

2,5 Ω

3,25 Ω

40 ns

7 nC

R6003JND4

1,3 A

1,65 Ω

2,15 Ω

42 ns

8 nC

Zapytania ofertowe
Superzłączowe 600-woltowe tranzystory MOSFET w niskoprofilowych obudowach SOT-223-3
Zapytanie ofertowe