Moduły wysokoprądowe IGBT w zmodyfikowanych obudowach INT-A-PAK o małych stratach

Vishay wprowadza na rynek 5 wysokoprądowych, półmostkowych modułów Trench IGBT, zamykanych w zmodyfikowanych obudowach INT-A-PAK o zredukowanych stratach przy przewodzeniu i przełączaniu: VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N i VS-GT200TS065N o prądzie znamionowym do 200 A. Ze względu na małe napięcie VCE(ON) i małą energię Eoff, są one polecane do zastosowań m.in. w wysokoprądowych falownikach do taboru kolejowego, energetyki, spawarek i robotyki. Zostały zrealizowane na bazie tranzystorów Trench IGBT i diod zabezpieczających Gen IV FRED Pt o łagodnej charakterystyce regeneracji.

Aby zmniejszyć straty przewodzenia w stopniach wyjściowych spawarek TIG, modele VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S i VS-GT200TS065S oferują bardzo małe napięcie kolektor-emiter, nieprzekraczające 1,07 V w temperaturze +125°C i przy prądzie znamionowym. Z kolei w aplikacjach w.cz., modele VS-GT100TS065N i VS-GT200TS065N oferują wyjątkowo małe straty przełączania. Energia Eoff wynosi w ich przypadku maksymalnie 1,0 mJ w temperaturze +125°C i przy prądzie znamionowym.

Wszystkie moduły z nowej oferty charakteryzują się napięciem przebicia równym 650 V, małą rezystancją termiczną złącze-obudowa i małą emisją elektromagnetyczną. Są kompatybilne pod względem rozkładu wyprowadzeń z modułami IGT, produkowanymi w standardowych obudowach 34-milimetrowych. Mogą być montowane bezpośrednio na radiatorach.

 

VCES

IC

VCE(ON)

Eoff

Pasmo

@ IC, +125°C

VS-GT100TS065S

650 V

100 A

1,02 V

6,5 mJ

DC...1 kHz

VS-GT150TS065S

150 A

1,05 V

10,3 mJ

VS-GT200TS065S

200 A

1,07 V

13,7 mJ

VS-GT100TS065N

100 A

2,12 V

1,0 mJ

8...30 kHz

VS-GT200TS065N

200 A

2,13 V

3,86 mJ

 

Zapytania ofertowe
Moduły wysokoprądowe IGBT w zmodyfikowanych obudowach INT-A-PAK o małych stratach
Zapytanie ofertowe