Moduły wysokoprądowe IGBT w zmodyfikowanych obudowach INT-A-PAK o małych stratach
Vishay wprowadza na rynek 5 wysokoprądowych, półmostkowych modułów Trench IGBT, zamykanych w zmodyfikowanych obudowach INT-A-PAK o zredukowanych stratach przy przewodzeniu i przełączaniu: VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N i VS-GT200TS065N o prądzie znamionowym do 200 A. Ze względu na małe napięcie VCE(ON) i małą energię Eoff, są one polecane do zastosowań m.in. w wysokoprądowych falownikach do taboru kolejowego, energetyki, spawarek i robotyki. Zostały zrealizowane na bazie tranzystorów Trench IGBT i diod zabezpieczających Gen IV FRED Pt o łagodnej charakterystyce regeneracji.
Aby zmniejszyć straty przewodzenia w stopniach wyjściowych spawarek TIG, modele VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S i VS-GT200TS065S oferują bardzo małe napięcie kolektor-emiter, nieprzekraczające 1,07 V w temperaturze +125°C i przy prądzie znamionowym. Z kolei w aplikacjach w.cz., modele VS-GT100TS065N i VS-GT200TS065N oferują wyjątkowo małe straty przełączania. Energia Eoff wynosi w ich przypadku maksymalnie 1,0 mJ w temperaturze +125°C i przy prądzie znamionowym.
Wszystkie moduły z nowej oferty charakteryzują się napięciem przebicia równym 650 V, małą rezystancją termiczną złącze-obudowa i małą emisją elektromagnetyczną. Są kompatybilne pod względem rozkładu wyprowadzeń z modułami IGT, produkowanymi w standardowych obudowach 34-milimetrowych. Mogą być montowane bezpośrednio na radiatorach.
|
VCES |
IC |
VCE(ON) |
Eoff |
Pasmo |
|
|
@ IC, +125°C |
|||||
|
VS-GT100TS065S |
650 V |
100 A |
1,02 V |
6,5 mJ |
DC...1 kHz |
|
VS-GT150TS065S |
150 A |
1,05 V |
10,3 mJ |
||
|
VS-GT200TS065S |
200 A |
1,07 V |
13,7 mJ |
||
|
VS-GT100TS065N |
100 A |
2,12 V |
1,0 mJ |
8...30 kHz |
|
|
VS-GT200TS065N |
200 A |
2,13 V |
3,86 mJ |
||
