100-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(ON) równej 1 mΩ
EPC2361 to pierwszy na rynku tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(ON) zredukowanej do zaledwie 1 mΩ, pozwalający zwiększyć gęstość mocy i sprawność energetyczną we wszelkiego typu konwerterach AC-DC i DC-DC, szybkich ładowarkach, układach napędowych oraz układach MPPT instalacji fotowoltaicznych. Jest to tranzystor 100-woltowy o maksymalnym prądzie ciągłym 101 A, zamykany w obudowie QFN o powierzchni 5 x 3 mm. Jego maksymalny iloczyn RDS(ON) i powierzchni struktury, wynoszący 5 mΩ*mm2, jest 5-krotnie mniejszy niż w przypadku porównywalnych, krzemowych tranzystorów MOSFET o napięciu przebicia 100 V.
Firma EPC oferuje też płytkę deweloperską EPC90156 z półmostkowym stopniem mocy, opartym na dwóch tranzystorach EPC2361, ułatwiającą projektowanie wyjściowych stopni wysokoprądowych. Płytka pracuje z maksymalnym prądem ciągłym 65 A. Zawiera wszystkie niezbędne komponenty, zapewniające pracę tranzystorów w optymalnych warunkach, umieszczone na powierzchni 50,8 x 50,8 mm.
Ceny hurtowe EPC2361 zaczynają się od 4,60 USD przy zamówieniach 3000 sztuk. Cena płytki deweloperskiej to 200 USD.
