60-woltowe p-kanałowe tranzystory MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101

Toshiba powiększa ofertę podzespołów z kwalifikacją AEC-Q101, przeznaczonych do zastosowań w aplikacjach motoryzacyjnych i przemysłowych o dwa nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET o oznaczeniach XPH8R316MC i XPH13016MC. Oba są produkowane w procesie U-MOS VI. Charakteryzują się napięciem znamionowym -60 V. Mogą być stosowane w przełącznikach zasilania, układach napędowych i przekaźnikach półprzewodnikowych. Są zamykane w obudowach SOP Advance(WF) z wyprowadzeniami wettable flank, ułatwiającymi prowadzenie automatycznej inspekcji optycznej połączeń, co jest szczególnie ważne w elektronice samochodowej. Ich zaletą są też miedziane połączenia wewnętrzne, pozwalające zredukować rezystancję obudowy i emisję ciepła.

XPH8R316MC i XPH13016MC charakteryzują się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu odpowiednio 90 A i 60 A oraz dopuszczalnym prądem impulsowym do odpowiednio 180 A i 120 A. Maksymalna temperatura pracy wewnętrznej struktury wynosi +175°C. Maksymalna rezystancja R_DS(ON), wynosząca w przypadku XPH8R316MC 8,3 mΩ, jest mniejsza o 25% od odpowiednika TPCA8123, również z oferty Toshiba. Z kolei XPH13016MC charakteryzuje się rezystancją R_DS(ON) równą 12,9 mΩ, mniejszą o 49% od odpowiednika TPCA8125.