Tranzystor GaN HEMT 650 V w obudowie CCPAK copper-clip o małej indukcyjności

Nexperia informuje o rozpoczęciu produkcji nowej rodziny tranzystorów GaN FET, opartych na wysokonapięciowej technologii GaN HEMT. Są to tranzystory zamykane w obudowach SMD typu CCPAK o wymiarach 12 x 9,4 x 2,5 mm, mogące znaleźć zastosowanie np. w spawarkach, falownikach fotowoltaicznych, wzmacniaczach mocy klasy D, serwonapędach, zasilaczach serwerowych klasy Titanium, pompach ciepła itp. W odróżnieniu od tradycyjnych obudów, zastosowana tu technika copper-clip pozwoliła wyeliminować wewnętrzne druciki, łączące strukturę z wyprowadzeniami, co poprawia parametry termiczne i redukuje wartość strat, wynikających z wpływu indukcyjności pasożytniczej, której wartość zmniejszono 3-krotnie. Dla zapewnienia maksymalnej elastyczności, obudowy CCPAK są dostępne w wariantach z odprowadzaniem ciepła przez dolną lub górną powierzchnię obudowy (bottom-cooled lub top-cooled).

W ofercie firmy Nexperia jest już dostępny pierwszy model o symbolu GAN039-650NTB, charakteryzujący się napięciem przebicia 650 V i rezystancją R_DS(ON) równą 33 mΩ w temperaturze +25°C. Jest on zamykany w obudowie CCPAK top-cooled, a w najbliższym czasie w ofercie ma być też dostępny odpowiednik bottom-cooled (ozn. GAN039-650NBB) o identycznej rezystancji R_DS(ON). Tranzystor może pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +150°C i charakteryzuje się bardzo małą rezystancją termiczną R_th(j-mb), poniżej 0,5 K/W. Jego maksymalny prąd przewodzenia wynosi 58,5 A, a dopuszczalny zakres napięcia V_GS to ±20 V.