n-kanałowe 100-woltowe tranzystory MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 7,5 mΩ
MCAC7D5N10YL i MCU7D5N10YL to nowe n-kanałowe tranzystory MOSFET firmy MCC o napięciu przebicia 100 V i maksymalnym ciągłym prądzie drenu odpowiednio 75 A i 80 A, wyposażone w szybką diodę zabezpieczającą. Mogą znaleźć zastosowanie w układach napędowych, systemach oświetleniowych i systemach zarządzania akumulatorami. Są zamykane w obudowach odpowiednio DFN5060 (6,4 x 5,6 x 1,2 mm) - nadającej się do aplikacji o dużej gęstości upakowania podzespołów oraz standardowej DPAK - ułatwiającej upgrade wcześniejszych projektów.
Oba modele zostały wyprodukowane w procesie SGT (split-gate trench), pozwalającym na zredukowanie rezystancji RDS(ON) do jedynie 7,5 mΩ @ 10 V. Charakteryzują się małymi pojemnościami wewnętrznymi i krótkimi czasami narastania/opadania sygnału (tr/tf odpowiednio 62 ns/5 ns i 77 ns/9 ns). Mogą pracować w szerokim zakresie temperatury złącza od -55 do +150°C.
