150-woltowe tranzystory n-MOS do zasilaczy impulsowych wysokiej klasy

Toshiba powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o dwa warianty n-kanałowe, zaprojektowane specjalnie do zastosowań w zasilaczach impulsowych wysokiej klasy do centrów danych, stacji bazowych i aplikacji przemysłowych.

TPH1100CQ5 i TPH1400CQ5 to tranzystory o napięciu przebicia 150 V, produkowane w najnowszym procesie U-MOS X-H Trench. Mogą pracować z maksymalnym prądem ciągłym odpowiednio 49 A i 32 A, natomiast ich maksymalna rezystancja R_DS(ON) wynosi odpowiednio 11 mΩ i 14 mΩ.

Nowe tranzystory charakteryzują się poprawioną charakterystyką regeneracyjną, co jest krytyczne w przypadku zastosowań w zasilaczach z prostowaniem synchronicznym. Ładunek Q_rr w modelu TPH1400CQ5 zredukowano do 27 nC, natomiast czas regeneracji t_rr skrócono do 36 ns, co pozwala znacznie obniżyć straty mocy. Są to wartości mniejsze o odpowiednio 73% i 45% w stosunku do wcześniejszego odpowiednika TPH1400CQH o tym samym napięciu znamionowym i tej samej rezystancji R_DS(ON). W przypadku zasilaczy nie pracujących w trybie reverse recovery, straty mocy TPH1400CQ5 i starszego wariantu TPH1400CQH są porównywalne.

TPH1100CQ5 i TPH1400CQ5 są zamykane w obudowach SOP Advance(N) o wymiarach 6,1 x 4,9 x 1,0 mm.