Nowe 80- i 100-woltowe tranzystory MOSFET do układów impulsowych

Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET do układów impulsowych o nowe 80- i 100-woltowe tranzystory PSMNxxxx rodziny NextPower, zamykane w obudowach LFPAK o powierzchni 8 x 8 mm i 6 x 5 mm. Wykazują one małe oscylacje, wynikające z małego wewnętrznego ładunku Qrr oraz małą rezystancję R_DS(ON), dzięki czemu nadają się idealnie do zastosowań w zasilaczach, ładowarkach i układach napędowych. Oferta obejmuje wersje o rezystancji R_DS(ON) od 1,8 do 15 mΩ, mniejszej nawet o 31% od wcześniejszych odpowiedników i dopuszczalnym prądzie drenu 270 A. W najbliższym czasie Nexperia planuje wprowadzenie na rynek również wariantu o rezystancji 1,2 mΩ (80 V, 335 A), zamykanego w obudowie LFPAK88 oraz tranzystorów o dużej gęstości mocy, zamykanych w obudowach CCPAK1212.