40-woltowe MOSFETy o małym napięciu progowym do zastosowań w motoryzacji
Magnachip Semiconductor wprowadza do oferty 4 nowe tranzystory n-MOSFET o napięciu znamionowym 40 V, stanowiące rozszerzenie linii produktowej MXT MV (Magnachip eXtreme Trench Medium Voltage). Zostały one zaprojektowane do zastosowań w elektronice samochodowej, a w szczególności w energooszczędnych układach sterowania silnikami elektrycznymi. Wyróżniają się małym napięciem progowym VGS(th), wynoszącym od 1,8 V, pozwalającym na obniżenie poboru mocy systemu.
Tranzystory MXT MV z nowej oferty uzyskały kwalifikację AEC-Q101. Są zamykane w obudowach PDFN33 (Power Dual Flat No-Lead) o wymiarach 3,3 x 3,3 x 0,9 mm. Pozwalają zredukować o ponad 60% powierzchnię montażową i o 75% masę w porównaniu do wcześniejszych odpowiedników, zamykanych w obudowach PDFN56. Ich dopuszczalna temperatura pracy złącza wynosi +175°C.
|
VDS |
VGS(th) |
RDS(on) @ VGS=4,5 V |
RDS(on) @ VGS=10 V |
QG @ VGS=10 V |
||
typ. |
maks. |
typ. |
maks. |
||||
AMDV040N029LVRH |
40 V |
1,8 V |
3,8 mΩ |
5,0 mΩ |
2,5 mΩ |
2,9 mΩ |
30 nC |
AMDV040N036LVRH |
1,8 V |
4,2 mΩ |
6,0 mΩ |
2,7 mΩ |
3,6 mΩ |
27 nC |
|
AMDV040N042LVRH |
1,8 V |
4,8 mΩ |
6,9 mΩ |
3,1 mΩ |
4,2 mΩ |
22 nC |
|
AMDV040N048VRH |
3,0 V |
- |
- |
3,5 mΩ |
4,8 mΩ |
21 nC |