Tanie 30-woltowe tranzystory MOSFET StrongIRFET 2 w masowej produkcji
Infineon informuje o wprowadzeniu do masowej produkcji tanich, 30-woltowych tranzystorów MOSFET rodziny StrongIRFET 2. Są to łatwe w integracji tranzystory uniwersalne, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w zasilaczach impulsowych, układach napędowych i układach zarządzania zasilaniem. Mogą pracować w szerokim zakresie częstotliwości przełączania. W porównaniu z tranzystorami MOSFET poprzedniej generacji StrongIRFET, wykazują do 40% mniejszą rezystancję RDS(on) i do 60% mniejszy ładunek QG, co przekłada się na mniejsze straty mocy przy pracy impulsowej.
Tranzystory StrongIRFET 2 występują obecnie w 7 wersjach o dopuszczalnym prądzie ciągłym drenu do 210 A, ładunku QG od 10 nC i rezystancji RDS(ON) od 1,05 mΩ. Mogą pracować w szerokim zakresie temperatury złącza od -55 do +175°C. Są zamykane w obudowach TO-220, natomiast pod koniec b.r. do oferty mają też trafić wersje w obudowach DPAK, D²PAK, PQFN i SuperSO8.
|
|
VBRDSS maks. |
RDS(on) @ 10 V (maks.) |
RDS(on) @ 4,5 V (maks.) |
QG typ. @ 10 V |
QG typ @ 4,5 V |
VGS(th) |
ID @ 25°C maks. |
|
IPP011N03LF2S |
30 V |
1,05 mΩ |
1,5 mΩ |
224 nC |
108 nC |
1,85 V (min. 1,35 V, maks. 2,35 V) |
210 A |
|
IPP050N03LF2S |
4,95 mΩ |
7,5 mΩ |
21 nC |
10 nC |
53 A |
||
|
IPP033N03LF2S |
3,3 mΩ |
5 mΩ |
33 nC |
16 nC |
78 A |
||
|
IPP018N03LF2S |
1,8 mΩ |
2,5 mΩ |
95 nC |
46 nC |
128 A |
||
|
IPP020N03LF2S |
2,05 mΩ |
3 mΩ |
69 nC |
33 nC |
125 A |
||
|
IPP023N03LF2S |
2,35 mΩ |
3,5 mΩ |
50 nC |
24 nC |
121 A |
||
|
IPP044N03LF2S |
4,35 mΩ |
6 mΩ |
27 nC |
13 nC |
53 A |
