Miniaturowe n-kanałowe MOSFETy z kwalifikacją AEC-Q101
Rohm Semiconductor powiększa ofertę n-kanałowych tranzystorów MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101 o 10 nowych wariantów, produkowanych w wersjach na napięcia znamionowe 40, 60 i 100 V. Są to miniaturowe tranzystory o dużej niezawodności, zamykane w 3 typach obudów (DFN2020, HSMT8AG i DPAK), których wymiary zaczynają się już od 2 x 2 mm. Mogą być stosowane m.in. w reflektorach LED oraz układach napędowych silników do domykania drzwi i pozycjonowania siedzeń. Zostały wyprodukowane w procesie z podzieloną strukturą bramki (split-gate), pozwalającym zredukować rezystancję RDS(ON) i ograniczyć straty mocy.
Obecna oferta obejmuje tranzystory o dopuszczalnym ciągłym prądzie drenu od 12 do 59 A, mogące pracować przy maksymalnej temperaturze złącza do +175°C. Charakteryzują się rezystancją RDS(ON) od 2,4 mΩ, ładunkiem bramki od 7,3 nC i pojemnością wejściową CISS od 440 pF. W najbliższym czasie firma Rohm planuje powiększyć ofertę tranzystorów "samochodowych" o warianty zamykane w obudowach DFN3333 (3,3 x 3,3 mm) i HPLF5060 (6,0 x 5,0 mm), a także 80-woltowe i p-kanałowe.
|
VDSS |
ID |
RDS(ON) @ VGS=10 V |
QG @ VGS=10 V |
CISS |
TJ (maks.) |
Obudowa |
|
RF9G120BKFRA |
40 V |
12 A |
typ. 13,5 mΩ |
maks. 17,5 mΩ |
8,5 nC |
470 pF |
150°C |
DFN2020 |
RF9L120BKFRA |
60 V |
typ. 23 mΩ |
maks. 30 mΩ |
7,3 nC |
440 pF |
|||
RQ3G270BKFRA |
40 V |
27 A |
typ. 7,4 mΩ |
maks. 9,6 mΩ |
19 nC |
1030 pF |
HSMT8AG |
|
RQ3L270BKFRA |
60 V |
typ. 11,3 mΩ |
maks. 14,6 mΩ |
15 nC |
990 pF |
|||
RQ3L270BLFRA |
typ. 11,3 mΩ |
maks. 14,7 mΩ |
15 nC |
1080 pF |
||||
RQ3L120BKFRA |
12 A |
typ. 23 mΩ |
maks. 30 mΩ |
7,3 nC |
440 pF |
|||
RQ3P270BKFRA |
100 V |
27 A |
typ. 21 mΩ |
maks. 27 mΩ |
13,6 nC |
670 pF |
||
RD3G08CBKHRB |
40 V |
80 A |
typ. 2,4 mΩ |
maks. 3,1 mΩ |
41 nC |
2570 pF |
175°C |
DPAK |
RD3L04BBKHRB |
60 V |
40 A |
typ. 10,4 mΩ |
maks. 13,5 mΩ |
13 nC |
760 pF |
||
RD3P06BBKHRB |
100 V |
59 A |
typ. 12,1 mΩ |
maks. 15,8 mΩ |
17,3 nC |
1110 pF |