Miniaturowe n-kanałowe MOSFETy z kwalifikacją AEC-Q101

Rohm Semiconductor powiększa ofertę n-kanałowych tranzystorów MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101 o 10 nowych wariantów, produkowanych w wersjach na napięcia znamionowe 40, 60 i 100 V. Są to miniaturowe tranzystory o dużej niezawodności, zamykane w 3 typach obudów (DFN2020, HSMT8AG i DPAK), których wymiary zaczynają się już od 2 x 2 mm. Mogą być stosowane m.in. w reflektorach LED oraz układach napędowych silników do domykania drzwi i pozycjonowania siedzeń. Zostały wyprodukowane w procesie z podzieloną strukturą bramki (split-gate), pozwalającym zredukować rezystancję RDS(ON) i ograniczyć straty mocy.

Obecna oferta obejmuje tranzystory o dopuszczalnym ciągłym prądzie drenu od 12 do 59 A, mogące pracować przy maksymalnej temperaturze złącza do +175°C. Charakteryzują się rezystancją RDS(ON) od 2,4 mΩ, ładunkiem bramki od 7,3 nC i pojemnością wejściową CISS od 440 pF. W najbliższym czasie firma Rohm planuje powiększyć ofertę tranzystorów "samochodowych" o warianty zamykane w obudowach DFN3333 (3,3 x 3,3 mm) i HPLF5060 (6,0 x 5,0 mm), a także 80-woltowe i p-kanałowe.

 

VDSS

ID

RDS(ON)

@ VGS=10 V

QG

@ VGS=10 V

CISS

TJ

(maks.)

Obudowa

RF9G120BKFRA

40 V

12 A

typ. 13,5 mΩ

maks. 17,5 mΩ

8,5 nC

470 pF

150°C

DFN2020

RF9L120BKFRA

60 V

typ. 23 mΩ

maks. 30 mΩ

7,3 nC

440 pF

RQ3G270BKFRA

40 V

27 A

typ. 7,4 mΩ

maks. 9,6 mΩ

19 nC

1030 pF

HSMT8AG

RQ3L270BKFRA

60 V

typ. 11,3 mΩ

maks. 14,6 mΩ

15 nC

990 pF

RQ3L270BLFRA

typ. 11,3 mΩ

maks. 14,7 mΩ

15 nC

1080 pF

RQ3L120BKFRA

12 A

typ. 23 mΩ

maks. 30 mΩ

7,3 nC

440 pF

RQ3P270BKFRA

100 V

27 A

typ. 21 mΩ

maks. 27 mΩ

13,6 nC

670 pF

RD3G08CBKHRB

40 V

80 A

typ. 2,4 mΩ

maks. 3,1 mΩ

41 nC

2570 pF

175°C

DPAK

RD3L04BBKHRB

60 V

40 A

typ. 10,4 mΩ

maks. 13,5 mΩ

13 nC

760 pF

RD3P06BBKHRB

100 V

59 A

typ. 12,1 mΩ

maks. 15,8 mΩ

17,3 nC

1110 pF

Zapytania ofertowe
Miniaturowe n-kanałowe MOSFETy z kwalifikacją AEC-Q101
Zapytanie ofertowe