40-, 60- i 100-woltowe tranzystory MOSFET o zwiększonej niezawodności w obudowach LFPAK
Alpha and Omega Semiconductor dodaje do oferty tranzystorów MOSFET nowe warianty o podwyższonej niezawodności, zamykane w obudowach LFPAK o powierzchni 6 x 5 mm. Są one polecane do aplikacji wysokoprądowych w sektorze przemysłowym, telekomunikacyjnym i fotowoltaicznym oraz w układach zasilania serwerów. Ich zwiększona niezawodność wynika z zastosowania dużej ramki montażowej oraz wyprowadzeń typu gull-wing. Duża ramka montażowa zapewnia skuteczne odprowadzanie ciepła, zmniejsza rezystancję kanału, umożliwia przewodzenie dużych prądów drenu oraz zmniejsza indukcyjność resztkową, co redukuje przepięcia przy pracy impulsowej. Z kolei wyprowadzenia typu gull-wing umożliwiają optyczną inspekcję punktów lutowania oraz zapewniają dużą odporność na naprężenia mechaniczne.
Nowa oferta obejmuje 5 typów tranzystorów o napięciu znamionowym 40 V (AOLF66412, AOLF66413 i AOLF66417), 60 V (AOLF66610) i 100 V (AOLF66910). Wytrzymują one temperaturę złącza do +175°C. Charakteryzują się rezystancją RDS(ON) od 1,5 do 4,7 mΩ i dużym dopuszczalnym prądem drenu, sięgającym nawet 374 A przy idealnym chłodzeniu (TC=+25°C).
Ceny hurtowe AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610 i AOLF66910 wynoszą odpowiednio 1,15 USD, 1,17 USD, 0,78 USD, 1,65 USD i 2,1 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
|
VDS |
VGS |
ID @ 25°C |
RDS(ON) maks. @ VGS=10 V |
AOLF66412 |
40 V |
±20 V |
352 A |
1,5 mΩ |
AOLF66413 |
374 A |
1,5 mΩ |
||
AOLF66417 |
200 A |
2,6 mΩ |
||
AOLF66610 |
60 V |
294 A |
2,0 mΩ |
|
AOLF66910 |
100 V |
187 A |
4,7 mΩ |