Nowa seria kontrolerów PWM do przemysłowych zasilaczy sieciowych
Forma Rohm wprowadza do sprzedaży nową serię kontrolerów PWM, przeznaczonych do zastosowań w przemysłowych zasilaczach sieciowych. Są one produkowane w obudowach SOP-J8 o wymiarach 6,0 x 4,9 x 1,7 mm i charakteryzują się szerokim zakresem dopuszczalnej temperatury pracy od -40 do +125°C. Mogą współpracować z różnymi rodzajami tranzystorów, począwszy od krzemowych MOSFET-ów po tranzystory IGBT i SiC MOSFET. Zawierają zabezpieczenie podnapięciowe o wartości progowej dostosowanej do charakterystyk poszczególnych typów tranzystorów, eliminujące ryzyko wystąpienia niekontrolowanego wzrostu temperatury w wyniku nagłego spadku napięcia na bramce.
Obecna oferta obejmuje 4 typy kontrolerów:
- BD28C55FJ-LB do współpracy z niskonapięciowymi MOSFET-ami,
- BD28C54FJ-LB do współpracy ze średnio- i wysokonapięciowymi MOSFET-ami,
- BD28C57LFJ-LB do współpracy z tranzystorami IGBT,
- BD28C57HFJ-LB do współpracy z tranzystorami SiC MOSFET.
Wszystkie kontrolery charakteryzują się zakresem napięcia wejściowego od 6,9 do 28 V, maksymalnym poborem prądu 2 mA, maksymalnym prądem startowym 75 µA i maksymalnym współczynnikiem wypełnienia przebiegu PWM równym 50%. Pod względem rozkładu wyprowadzeń są kompatybilne z typowymi odpowiednikami, stosowanymi w układach zasilających, co ułatwia modyfikację wcześniejszych projektów. Zawierają zabezpieczenie podnapięciowe z automatyczną regeneracją i histerezą, co znacząco zwiększa niezawodność aplikacji, pozwalając zredukować napięcie progowe błędu z typowej wartości ±10 V do ±5 V. Firma Rohm planuje w najbliższym czasie wprowadzenie do oferty kolejnych wariantów, mogących pracować w pełnym zakresie współczynnika wypełnienia PWM do 100%.
|
Napięcie wejściowe |
Pobór prądu |
Prąd startowy (typ./maks.) |
Zabezpieczenie podnapięciowe standby/restart |
Tranzystor współpracujący |
BD28C54FJ-LB |
6,9...28,0 V |
maks. 2,0 mA |
60/75 µA |
9,0/14,5 V |
MOSFET (LV, HV) |
BD28C55FJ-LB |
7,6/8,4 V |
MOSFET (LV) |
|||
BD28C57HFJ-LB |
15,5/18,8 V |
SiC MOSFET |
|||
BD28C57LFJ-LB |
14,5/18,8 V |
IGBT |