Sterownik bramki tranzystora n-MOSFET high-side o napięciu roboczym do 125 V

W urządzeniach bateryjnych często niezbędna jest możliwość ich odłączenia od linii zasilającej po wystąpieniu awarii. W tym celu powszechnie stosuje się wyłączniki high-side, realizowane m.in. z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET. Firma Infineon wprowadziła na rynek nowy sterownik bramki tranzystora n-MOSFET, zaprojektowany specjalnie do realizacji tego typu funkcji. Układ ten, oznaczony symbolem EiceDRIVER 1EDL8011, może znaleźć zastosowanie m.in. w elektronarzędziach, sprzęcie ogrodniczym, rowerach elektrycznych i dronach. Na tle innych podobnych sterowników, charakteryzuje się dużą wydajnością prądową (1 A), pozwalającą uzyskać krótkie czasy włączania/wyłączania zewnętrznego tranzystora.

1EDL8011 może pracować z napięciem wejściowym z szerokiego zakresu od 8 do 125 V. Charakteryzuje się bardzo małym prądem spoczynkowym na poziomie 1 µA. Zawiera zabezpieczenie podnapięciowe, zabezpieczenie nadprądowe wyjścia, działające na zasadzie monitorowania napięcia VDS tranzystora MOSFET oraz funkcję bezpiecznego startu z układem opóźniającym. Wewnętrzna pompa ładunkowa pozwala zapewnić duży impuls sterujący bramką, również przy małym napięciu wejściowym oraz ogranicza poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. 1EDL8011 jest zamykany w obudowie DSO-8 o powierzchni 6 x 5 mm.