650- i 1200-woltowe diody Schottky'ego SiC do instalacji wysokonapięciowych

Do oferty firmy Rohm wchodzi seria diod Schottky'ego, realizowanych na podłożach SiC, przeznaczonych do instalacji wysokonapięciowych z sektora motoryzacyjnego i przemysłowego. Występują one w wersjach o napięciu przebicia 1200 V i 650 V. Są zamykane w obudowach TO-263-2L o wymiarach 15,1 x 10,1 x 4,5 mm, charakteryzujących się dłuższą o 1,3x drogą upływu od standardowych modeli, wynoszącą minimum 5,1 mm. Uzyskano to dzięki wyeliminowaniu centralnego wyprowadzenia, występującego we wcześniejszych wariantach.

Diody z nowej oferty mogą być montowane na polach lutowniczych o identycznym wzorcu, jak w przypadku konwencjonalnych obudów TO-263, co pozwala na łatwy upgrade wcześniejszych projektów. Są wśród nich dostępne wersje "motoryzacyjne" SCS2xxxNHR z kwalifikacją AEC-Q101. Diody 650-woltowe są produkowane na zakres prądów przewodzenia od 10 do 30 A, natomiast 1200-woltowe na zakres od 5 do 20 A. Ich napięcie przewodzenia wynosi odpowiednio 1,55 V i 1,6 V, a dopuszczalny prąd wsteczny od 100 do 600 µA.