Ultrazłączowe tranzystory MOSFET 200 V o dużej niezawodności i małej rezystancji RDS(ON)
Littelfuse wprowadza do oferty dwa ultra-złączowe tranzystory MOSFET o dużej niezawodności, wyróżniające się jedną z najmniejszych rezystancji RDS(ON) spośród tego typu komponentów, dostępnych obecnie na rynku. Oba tranzystory są zamykane w ceramicznych obudowach SOT-227B z wyprowadzeniami śrubowymi, charakteryzujących się rezystancją termiczną złącze-obudowa wynoszącą zaledwie 0,13 K/W. Producent poleca je do zastosowań przede wszystkim w zasilaczach, ładowarkach i systemach gromadzenia energii.
IXTN500N20X4 to tranzystor o nominalnym prądzie drenu 500 A, rezystancji RDS(ON) równej 1,99 mΩ i ładunku bramki 535 nC. Drugi z modeli, IXTN400N20X4, charakteryzuje się nominalnym prądem drenu 340 A, rezystancją RDS(ON) równą 3 mΩ i ładunkiem bramki 348 nC. Dzięki dużemu nominalnemu prądowi drenu, tranzystory te pozwalają wyeliminować konieczność równoległego łączenia kilku egzemplarzy, co zwiększa niezawodność i gęstość mocy. W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami, ich nominalny prąd drenu został niemal podwojony, a rezystancję RDS(ON) zredukowano o nawet 63%.
