100-woltowy tranzystor GaN do aplikacjach wysokoprądowych o dużej gęstości mocy

IGC033S10S1 to 100-woltowy tranzystor GaN, pracujący w trybie e-mode (normalnie wyłączony), zaprojektowany do zastosowań w aplikacjach wysokoprądowych o dużej gęstości mocy, w tym we wzmacniaczach audio, fotowoltaice, infrastrukturze telekomunikacyjnej i układach napędowych o napięciu zasilania do 72 V. Jest on zamykany w obudowie PQFN o powierzchni 5 x 3 mm. Charakteryzuje się małym ładunkiem bramki i małym ładunkiem wyjściowym, wynoszącymi odpowiednio 11 nC i 49 nC. Może pracować z maksymalnym ciągłym prądem drenu równym 75 A i z maksymalnym prądem impulsowym 240 A. Jego rezystancja R_DS(ON) wynosi jedynie 2,4 mΩ, co redukuje straty przy przewodzeniu. Zakres dopuszczalnej temperatury pracy złącza wynosi dla tego modelu od -40 do +150°C.