600-woltowe tranzystory n-MOSFET z szybką wewnętrzną diodą regeneracyjną
Firma MCC powiększa ofertę tranzystorów n-MOSFET o trzy nowe modele, zamykane w obudowach TO-247. Zawierają one szybką wewnętrzną diodę regeneracyjną, skracającą czasy przełączania i pozwalającą zredukować liczbę elementów współpracujących. Są tranzystorami superzłączowymi o szerokim zakresie zastosowań, m.in. w fotowoltaice i układach napędowych, charakteryzującymi się małym ładunkiem bramki i małymi stratami na przełączanie. Występują w wersjach o znamionowym prądzie drenu 41 A (MCW075N60FH), 30,5 A (MCW099N60SH) i 30,6 A (MCW105N60FH) oraz o rezystancji RDS(ON) wynoszącej odpowiednio 75, 99 i 105 mΩ. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +150°C.
|
|
MCW075N60FH |
MCW099N60SH |
MCW105N60FH |
|
VDS |
600 V |
600 V |
600 V |
|
VGS |
±30 V |
±30 V |
±30 V |
|
ID |
41 A |
30,5 A |
30,6 A |
|
maks. RDS(ON) @ VGS=10 V |
75 mΩ |
99 mΩ |
105 mΩ |
|
EAS |
132 mJ |
16 mJ |
42,2 mJ |
|
CISS |
3,2 nF |
2,22 nF |
2,24 nF |
|
Coss |
135 pF |
125 pF |
99 pF |
|
QG |
81 nC |
56,5 nC |
57 nC |
|
QGD |
41 nC |
27 nC |
28 nC |
