Do oferty firmy Renesas wchodzą nowe 100-woltowe tranzystory n-MOSFET o małych wymiarach i małej rezystancji RDS(ON), mogące znaleźć zastosowanie m.in. w pojazdach elektrycznych, elektronarzędziach i zasilaczach UPS. Są one produkowane w procesie REXFET-1, pozwalającym zredukować wewnętrzne ładunki Qg i Qgd o odpowiednio 10% i 40%.
RBA300N10EANS i RBA300N10EHPF są zamykane w obudowach odpowiednio TOLL i TOLG, kompatybilnych pod względem rozkładu wyprowadzeń z odpowiednikami innych producentów i zajmujących dwukrotnie mniejszą powierzchnię w stosunku do tradycyjnych obudów TO-263. W porównaniu z poprzednikami, wykazują mniejszą o 30% rezystancję RDS(ON), wynoszącą maksymalnie 1,5 mΩ i mniejszy o 40% ładunek bramka-dren. Ich dopuszczalny prąd drenu wynosi 340 A. Wersje w obudowach TOLL zawierają wyprowadzenia wettable flank, umożliwiające inspekcję optyczną połączeń. Oba tranzystory uzyskały kwalifikację AEC-Q101, świadczącą o dużej niezawodności, pozwalającej na zastosowania w motoryzacji.