Firma Teledyne HiRel Semiconductors powiększa ofertę układów scalonych o zwiększonej odporności na promieniowanie jonizujące, realizowanych w technologii 150 nm pHEMT InGaAs. TDSW050A2T to absorpcyjny przełącznik SPDT, mogący znaleźć zastosowanie w aplikacjach wojskowych i pracujących w przestrzeni kosmicznej, odporny na całkowitą dawkę napromieniowania do 100 krad (Si). Charakteryzuje się małymi stratami wtrąconymi (typ. -3 dB), izolacją przekraczającą 40 dB i bardzo dobrą liniowością w paśmie DC...50 GHz. Jego punkt 1-decybelowej kompresji wzmocnienia występuje na poziomie mocy wejściowej +23 dBm. Czasy przełączania nie przekraczają 50 ns.
Układ pracuje z symetrycznym napięciem zasilania ±5 V i może być sterowany sygnałami TTL. Jest dostarczany w postaci nieobudowanej struktury półprzewodnikowej o wymiarach 1,5 x 1,5 x 0,1 mm.
Więcej na: www.teledynedefenseelectronics.com