XPJ101N04N8R-G i XPJ102N09N8R-G to n-kanałowe tranzystory MOSFET SGT (Shielded Gate Trench) o małym współczynniku FOM (RDS(ON))*Qg i małych stratach przy pracy impulsowej. Oba charakteryzują się napięciem znamionowym, równym 100 V, natomiast różnią się pojemnością wewnętrzną i dopuszczalnym prądem drenu, wynoszącym odpowiednio 122 A i 59 A.
XPJ101N04N8R-G i XPJ102N09N8R-G zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w zasilaczach, falownikach i układach napędowych. Są zamykane w obudowach DFN5060-8L o mniejszej powierzchni od odpowiedników w standardowych obudowach TO263-3 (D2PAK) i TO247-3. Ich rezystancja RDS(ON) wynosi odpowiednio 4,4 mΩ i 9,4 mΩ dla VGS=10 V, a całkowity ładunek bramki to odpowiednio 40,5 nC i 19 nC.
|
XPJ101N04N8R-G |
XPJ102N09N8R-G |
||
|
VDS |
100 V |
||
|
VGS |
±20 V |
||
|
VGS(th) |
1,8...3,8 V |
||
|
ID maks. (TC=+25°C) |
122 A |
59 A |
|
|
RDS(ON) maks. |
@ VGS=10 V |
4,4 mΩ |
9,4 mΩ |
|
@ VGS=6 V |
6,5 mΩ |
15,6 mΩ |
|
|
Ciss |
3010 pF |
1370 pF |
|
|
Qg (typ.) |
40,5 nC |
19 nC |
|
|
Obudowa |
DFN5060-8L |
||
Więcej na: www.torex-europe.com