Nexperia powiększa ofertę tranzystorów e-mode GaN FET o kilkanaście nowych modeli, zaprojektowanych do realizacji układów impulsowych o bardzo małych stratach. Są wśród nich dostępne wersje nisko- i wysokonapięciowe, mogące znaleźć zastosowanie w zarówno w sektorze konsumenckim, jak i w przemyśle. Wszystkie charakteryzują się bardzo dobrymi parametrami dynamicznymi, wynikającymi z małego ładunku QG i QOSS. Są produkowane w kilku wariantach obudów, w tym TO252, DFN5060-5, DFN8080-8 i WLCSP8.
Oferta obejmuje cztery grupy produktowe:
- tranzystory dwukierunkowe, 40-woltowe o rezystancji RDS(ON) mniejszej od 12 mΩ, przeznaczone do realizacji zabezpieczenia nadnapięciowego, przełączników obciążenia i układów zarządzania akumulatorem (BMS) w urządzeniach mobilnych,
- tranzystory 100- i 150-woltowe o rezystancji RDS(ON) mniejszej od 7 mΩ, przeznaczone do prostowników synchronicznych w zasilaczach urządzeń konsumenckich oraz konwerterów DC-DC w sprzęcie telekomunikacyjnym, falownikach fotowoltaicznych, wzmacniaczach klasy D i układach napędowych,
- tranzystory 700-woltowe o rezystancji RDS(ON) <140 mΩ, przeznaczone do zastosowań w sterownikach diod LED i układach korekcji PFC,
- tranzystory 650-woltowe o rezystancji RDS(ON) <350 mΩ, przeznaczone do konwerterów AC-DC.
Więcej na: www.nexperia.com
