Firma Rohm wprowadza do oferty kolejne n-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(ON) i szerokim obszarze bezpiecznej pracy (SOA), zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania serwerów. Ponieważ w tego typu aplikacjach często zachodzi konieczność wymiany kart i pamięci przy włączonym napięciu zasilania (hot-swap), mogą się pojawiać duże impulsy prądowe, stanowiące zagrożenie dla elementów elektronicznych. Aby zapewnić odporność na duże impulsy prądowe, niezbędny jest szeroki obszar SOA, który w przypadku nowych tranzystorów serii RS7 zapewnia obudowa DFN5060-8S (6 x 5 mm), umożliwiająca pomieszczenie większej struktury półprzewodnikowej w porównaniu ze standardowymi tranzystorami o porównywalnych wymiarach.
Nowa oferta obejmuje 3 tranzystory. 30-woltowy RS7E200BG został zoptymalizowany do zastosowań w obwodach wtórnych zasilaczy AC-DC i 12-woltowych kontrolerach hot-swap w układach zasilania serwerów enterprise. RS7N200BH i RS7N160BH to tranzystory o napięciu znamionowym 80 V, przeznaczone do 48-woltowych układów zasilania serwerów AI.
Dzięki większej o 65% powierzchni wewnętrznej struktury w obudowie DFN5060-8S (w porównaniu z obudową HSOP8), rezystancję RDS(ON) tranzystorów RS7E200BG i RS7N200BH udało się ograniczyć do odpowiednio 0,53 mΩ i 1,7 mΩ (przy VGS=10 V), co jest rekordem wśród tranzystorów zamykanych w obudowach o powierzchni 6 x 5 mm. Konstrukcję wewnętrznego klipsu mocującego zmodyfikowano, uzyskując mniejszą rezystancję termiczną i uzyskując szerszy obszar SOA. Przykładowo, 30-woltowy RS7E200BG przy napięciu VDS równym 12 V, toleruje 1-milisekundowe impulsy prądowe o natężeniu do 70 A, dwukrotnie większym niż odpowiedniki w obudowach HSOP8.
|
|
VDSS |
ID |
PD |
RDS(ON) |
||
|
VGS=10 V |
VGS=6 V |
VGS=4,5 V |
||||
|
RS7E200BG |
30 V |
390 A |
180 W |
0,53...0,67 mΩ |
- |
0,75...1,06 mΩ |
|
RS7N200BH |
80 V |
230 A |
1,7...2,0 mΩ |
2,1...2,9 mΩ |
- |
|
|
RS7N160BH |
80 V |
160 A |
160 W |
2,2...2,6 mΩ |
2,7...3,8 mΩ |
- |
Więcej na: www.rohm.com
