IXD0579M to szybki sterownik bramek n-kanałowych tranzystorów MOSFET i IGBT w konfiguracji półmostkowej, zawierający wyjścia high-side i low-side o wydajności prądowej +1,5/-2,5 A. Może być sterowany bezpośrednio z wyjść układów TTL/CMOS, zasilanych napięciem od 3,3 V. Zawiera zintegrowaną diodę bootstrap i rezystor ograniczający natężenie prądu, ułatwiające jego integrowanie w aplikacjach docelowych. Pracuje z napięciem zasilania z zakresu od 6,5 do 18 V, pobierając mniej niż 1 µA prądu w trybie standby. Zawiera zabezpieczenie podnapięciowe i zabezpieczenie przed równoczesnym wprowadzeniem w stan przewodzenia obu tranzystorów (cross-conduction protection).
IXD0579M jest zamykany w obudowie TDFN-10 o powierzchni 3,3 x 3,3 mm. Może znaleźć zastosowanie w układach napędowych, konwerterach DC-DC i zasilaczach. Jego zakres temperatury roboczej rozciąga się od -40 do +125°C.
Więcej na: www.littelfuse.com
