Alpha and Omega Semiconductor wprowadza do oferty serię 1200-woltowych tranzystorów αSiC MOSFET 3. generacji do wysokoprądowych układów konwersji mocy. Są one zamykane w obudowach TO247 i TO263. W porównaniu z tranzystorami 2. generacji, wykazują mniejszy nawet o 30% współczynnik FOM, zapewniający mniejsze straty przy pracy impulsowej. Ich rezystancja RDS(ON) wynosi od 20 do 40 mΩ.
Nowe tranzystory 3. generacji pracują z napięciem sterującym VGS do 18 V i z dopuszczalnym ciągłym prądem drenu od 46 do 112 A. Uzyskały kwalifikację AEC-Q101, pozwalającą na zastosowania w elektronice samochodowej. Ich dopuszczalna temperatura pracy złącza wynosi +175°C. W ofercie AEO są też dostępne podobne tranzystory o parametrach 1200 V/11 mΩ, dostarczane w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych.
Więcej na: www.aosmd.com
