Ponieważ straty w półprzewodnikach mocy mają znaczący wpływ na ogólną sprawność systemu, dokładność symulacji w fazie projektowania ma kluczowe znaczenie. Choć wcześniejsze modele SPICE poziomu 1 firmy Rohm dla tranzystorów MOSFET SiC, zapewniały precyzyjne replikowanie ich kluczowych parametrów, nie mogą sprostać nowym wyzwaniom, związanym ze zbieżnością symulacji i czasem obliczeń.
W nowych modelach L3 wykorzystano uproszczone podejście, zapewniające zarówno dużą stabilność obliczeniową, jak i dużą dokładność przebiegów przełączania, a jednocześnie skrócono o połowę czas obliczeń w porównaniu z modelami L1. Zapewnia to precyzyjną analizę stanów przejściowych ze znacznie większą szybkością, pozwalając lepiej oszacować straty w fazie projektowania obwodów. Do kwietnia 2025 firma opracowała 37 modeli L3 dla tranzystorów SiC MOSFET 4. generacji, które można pobrać bezpośrednio z sekcji Models & Tools na stronach katalogowych poszczególnych tranzystorów. Modele L1 będą nadal dostępne, równolegle z nowymi wersjami. Dostępne są również dokumenty techniczne, ułatwiające adopcję nowych modeli.
Więcej na: www.rohm.com
