Toshiba Electronics Europe dodaje do oferty dwa n-kanałowe tranzystory MOSFET do przemysłowych zasilaczy impulsowych, zamykane w innowacyjnych obudowach SOP Advance(E) o powierzchni 6,1 x 4,9 mm: TPM1R908QM i TPM7R10CQ5 o dopuszczalnym ciągłym prądzie drenu odpowiednio 238 A i 120 A. W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami, zamykanymi w obudowach SOP Advance(N), wykazują one mniejszą o 65% rezystancję RDS(ON), wynoszącą odpowiednio 1,5 mΩ i 5,7 mΩ @ VGS=10 V oraz mniejszą o 15% rezystancję termiczną (0,6°C/W). Są przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatury kanału do +175°C. Zawierają szybkie wewnętrzne diody zabezpieczające.
Toshiba oferuje do obu tranzystorów modele Spice G0 do szybkiej weryfikacji funkcjonalnej obwodów oraz Spice G2 do precyzyjnej analizy przebiegów czasowych.
|
|
TPM1R908QM |
TPM7R10CQ5 |
|
VDSS |
80 V |
150 V |
|
ID |
238 A@ +25°C |
120 A@ +25°C |
|
QSW |
35 nC (typ.) |
18 nC (typ.) |
|
tR/tF |
50 ns/38 ns |
20 ns/24 ns |
|
RDS(ON) |
typ. 1,5 mΩ (VGS=10 V) |
typ. 5,7 mΩ (VGS=10 V) |
|
IDSS |
maks. 10 μA VDS=80 V |
maks. 10 μA VDS=150 V |
|
Vth |
2,5...3,5 V (VDS=10 V, ID=1,2 mA) |
3,1...4,5 V (VDS=10 V, ID=1,2 mA) |
Więcej na: www.toshiba.semicon-storage.com
