W ofercie firmy Infineon pojawiły się 1200-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET G2, zamykane w obudowach Q-DPAK TSC (top side cooled) o grubości 2,3 mm. Są one przeznaczone do zastosowań w przemysłowych systemach konwersji mocy o dużej niezawodności, m.in. w ładowarkach, falownikach, zasilaczach UPS i układach napędowych. W porównaniu z odpowiednikami wcześniejszej generacji o identycznej rezystancji RDS(ON), wykazują mniejsze nawet do 25% straty przy pracy impulsowej. Zmodyfikowana technika montażu wewnętrznej struktury umożliwiła obniżenie o 15% rezystancji termicznej, co przekłada się na niższą temperaturę pracy.
Tranzystory CoolSiC MOSFET G2 są produkowane w wersjach o rezystancji RDS(ON) z zakresu od 4 do 78 mΩ. Nadają się do pracy przy temperaturze złącza sięgającej +175°C. Są odporne na przypadkowe włączenie wskutek działania reaktancji pasożytniczych. Występują w konfiguracji pojedynczej i podwójnej.
Więcej na: www.infineon.com
