100-woltowy n-kanałowy MOSFET rozmiaru 6,1 x 5,15 mm o rezystancji RDS(ON) równej 2,7 mΩ

TPH2R70AR5 to 100-woltowy tranzystor n-MOSFET z oferty firmy Toshiba, wyprodukowany w nowym procesie U-MOS11-H i zamykany w obudowie SOP Advance (N) o powierzchni 6,1 x 5,15 mm i grubości 1,0 mm. Jest on polecany do zasilaczy impulsowych o dużej sprawności, stosowanych w centrach danych, stacjach bazowych i przemyśle. Może pracować z maksymalnym prądem drenu 190 A, a maksymalna temperatura złącza może osiągnąć +175°C, co zmniejsza wymagania odnośnie chłodzenia.

Zastosowanie nowej technologii U-MOS11-H pozwoliło znacznie poprawić parametry w porównaniu z tranzystorami realizowanymi we wcześniejszym procesie U-MOSX-H. Przykładowo, w porównaniu z wcześniejszym odpowiednikiem TPH3R10AQM, rezystancję R_DS(ON) zmniejszono o około 8% do maksymalnie 2,7 mΩ, a całkowity ładunek bramki (Qg) wynosi 52 nC i jest mniejszy o 37%. W rezultacie, iloczyn FoM został zredukowany o 42%.

Firma Toshiba opracowała do tranzystora TPH2R70AR5 dwa modele symulacyjne: G0 SPICE do weryfikacji funkcjonalnej oraz G2 SPICE do precyzyjnej symulacji przebiegów czasowych.

Ważniejsze parametry TPH2R70AR5:

• V_th: 2,9...4,3 V
• R_DS(ON): 3,6 mΩ @ V_GS=8 V; 2,7 mΩ @ V_GS=10 V,
• C_iss: 4105 pF,
• Q_g: 52 nC,
• Q_oss: 106 nC,
• t_rr: 52 ns,
• Q_rr: 55 nC.

 

Więcej na: www.toshiba.semicon-storage.com