Do oferty firmy Rohm wchodzą dwie serie podwójnych tranzystorów SiC MOSFET, przeznaczonych do zastosowań w zasilaczach UPS, falownikach i przekaźnikach półprzewodnikowych, zamykanych w obudowach DOT-247-7L o wymiarach 41,0 x 31,5 x 5,0 mm. Oferta obejmuje warianty ze wspólnym źródłem i półmostkowe o napięciach przebicia 750 V i 1200 V. Pozwalają one zredukować rezystancję termiczną o 15% i indukcyjność resztkową o 50% w porównaniu z tranzystorami zamykanymi w obudowach TO-247, a także zwiększyć o 2,3x gęstość mocy w porównaniu z dwoma tranzystorami w obudowach TO-247, połączonymi w konfiguracji półmostkowej.
Więcej na: www.rohm.com
