Stopień mocy AOZ53228QI zaprojektowano do pracy w synchronicznych przetwornicach DC/DC obniżających napięcie. Zawarto w nim dwa tranzystory MOSFET - górny oraz dolny. Tranzystor górny zoptymalizowano pod kątem pojemności wejściowej oraz ładunku bramki. Natomiast tranzystor dolny charakteryzuje się zmniejszoną rezystancją w stanie przewodzenia, dzięki czemu minimalizowane są straty przewodzenia przy dużych prądach obciążenia.
Układ opracowany przez firmę Alpha and Omega Semiconductor pracuje przy napięciu zasilania z zakresu: 2,5-18 V. Dopuszczalny prąd ciągły wynosi 60 A. Krótkotrwale moduł może przewodzić prąd o wyższym natężeniu: do 80 A (w czasie 10 ms), albo do 120 A (w ciągu 1 ms). Maksymalna częstotliwość przełączania osiąga 2 MHz. Wejście PWM obsługuje poziomy logiczne: 3 lub 5 V, dzięki czemu AOZ53228QI może być sterowany poprzez m.in. źródła zegarowe, mikrokontrolery lub inne rozwiązania cyfrowe.
Podzespół wyposażono również w kilka mechanizmów zabezpieczających, zwiększających niezawodność pracy. W szczególności dostępne jest zabezpieczenie nadprądowe z progiem zadziałania 100 A (przy tolerancji ±10%), nie mówiąc o blokadzie podnapięciowej (UVLO) oraz dedykowanym zabezpieczeniu termicznym.
Obudowa typu QFN o wymiarach 5×5 mm została zoptymalizowana pod kątem wielkości pasożytniczych, które zostały zredukowane do minimum. Na etapie projektowania płytek PCB zaleca się umieszczanie kondensatorów odsprzęgających możliwie najbliżej wyprowadzenia zasilania, co zdecydowanie pozwala ograniczyć zakłócenia i sprawia, że napięcie umożliwiające pracę układu jest ustabilizowane.
AOZ53228QI znajduje zastosowanie m.in. na kartach graficznych, w serwerach oraz komputerach przenośnych. Dzięki korzystnym parametrom roboczym, komponent sprawdza się doskonale wszędzie tam, gdzie dochodzi do dynamicznych zmian obciążenia – jest tu mowa o aplikacjach charakteryzujących się wysokimi, przewodzonymi prądami oraz dodatkowo wysokim stopniem ich narastania w czasie (di/dt).
Więcej na: www.aosmd.com
