IGK048B041S stanowi dwukierunkowy przełącznik opracowany przez firmę Infineon Technologies, działający w sposób przybliżony do tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym. Element uwzględnia w sobie podłoże wykonane z azotku galu (GaN). Zastosowaniem podzespołu są przede wszystkim obwody chroniące magistrale USB przed przepięciami. Jest to produkt dostępny w obudowie WLCSP o wymiarach: 2,1×2,1 mm.
Sterowanie komponentem odbywa się za pośrednictwem wejścia G, do którego można doprowadzić napięcie: od 1,2 do 2,9 V. Konstrukcja przełącznika zapewnia prąd upływu poniżej 3 µA. Dodatkowo maksymalny prąd przewodzenia wynosi 53 A. Pomiędzy wyprowadzenia D1 i D2 należy przyłożyć napięcie, które nie przekracza wartości 40 V. Rezystancja w stanie przewodzenia to typowo 4,2 mΩ. Napięcie między wejściem G, a zaciskami D1 i D2 musi mieścić się w przedziale: od −32 do 5,5 V. Najwyższą temperaturę złącza określono na 125°C. Podzespół trzeba przechowywać zgodnie z zaleceniami producenta. W szczególności wymagana jest temperatura składowania: od −40 do 150°C. Rezystancja termiczna "złącze–obudowa" (od dołu przełącznika) osiąga 3,3°C/W. Układ spełnia wszystkie kluczowe standardy JEDEC i może współpracować ze sterownikami bramek tranzystorów MOSFET. Jakimi? Takimi, które spotykane są m.in. w układach zasilania urządzeń mobilnych i komputerach przenośnych, a także w aplikacjach, w których znaczenie ma szybkie przełączanie, przy zachowaniu odporności na przepięcia, energooszczędności i najmniejszych stratach mocy (wręcz pomijalnych).
Więcej na: www.infineon.com
