Firma Magnachip Semiconductor wprowadza dwa nowe tranzystory superzłączowe MOSFET o napięciu "dren–źródło" VDS wynoszącym 600 V przeznaczone do zastosowań m.in. w serwerach, ładowarkach aut elektrycznych oraz aplikacjach przemysłowych. Elementy charakteryzują się rezystancją kanału w stanie przewodzenia RDS(on) równą 36 lub 37 mΩ oraz wykorzystują zabezpieczenie z zastosowaniem diody Zenera, zwiększające odporność na wyładowania elektrostatyczne (ESD). Jeden z modeli wyróżnia się dodatkowo udoskonalonymi parametrami przełączania, a oba tranzystory dostępne są w obudowie TOLL, która upraszcza integrację w układach zasilania oraz pozwala na elastyczne projektowanie wysokosprawnych układów przetwarzania energii.
Więcej na: www.magnachip.com
