W ofercie produktowej firmy Renesas Electronics dostępny jest tranzystor TP65H020G4PLSGBD. To element o podłożu krzemowym z warstwą azotku galu (GaN-on-Si), którego napięcie „dren-źródło” VDS nie przekracza 650 V. Rezystancja w stanie włączenia RDS(on) wynosi typowo 20 mΩ. Całkowity ładunek bramki Qg sięga 19,6 nC, a pojemność wyjściowa COSS to 196 pF. Obudowę PQFN o wymiarach 8×8 mm przystosowano do odprowadzania ciepła z obu stron komponentu.
Tranzystor TP65H020G4PLSGBD może być sterowany za pomocą sterowników bramek przeznaczonych dla tranzystorów krzemowych. Jego zastosowania obejmują centra danych korzystające z algorytmów sztucznej inteligencji (AI). Inną aplikacją są również przetwornice DC/DC, dzięki którym napięcie wejściowe 800 V obniżane jest do napięcia wyjściowego 6, 12 lub 48 V oraz dodatkowo jednostki podtrzymania bateryjnego (BBU) i moduły kondensatorów podtrzymujących (CBU) – celem zapewnienia ciągłości zasilania w systemach o zwiększonym zapotrzebowaniu na energię.
Więcej na: www.renesas.com
