Tranzystory MOSFET o napięciu sterowania bramki od 0,9V

Rohm Semiconductor prezentuje pierwsze w ofercie tranzystory MOSFET zdatne do pracy z napięciem sterowania bramki wynoszącym od 0,9V.

Zostały one wykonane na bazie technologii ECOMOS gwarantującej bardzo małą rezystancję RDS(on) i bardzo mały ładunek bramki. W efekcie uzyskano niezwykle mały pobór mocy przy pracy z niskimi napięciami sterującymi, pozwalający na zastosowania m.in. w niskonapięciowych układach zasilania urządzeń bateryjnych. W tego typu urządzeniach, korzystających z układów scalonych zasilanych niejednokrotnie napięciem nie przekraczającym 1V, zastosowanie tranzystorów przełączających o napięciu sterowania bramki 0,9V pozwala wyeliminować przetwornice napięcia typu Boost i zwiększyć sprawność układu zasilającego. Tranzystory ECOMOS są produkowane w kilku wariantach obudów, od VMN3 (1,0 x 0,6mm) do UMT6 (SOT-363).