Ultraniskoszumowy tranzystor HBT FET na pasmo 20 GHz

Renesas Electronics wprowadza do sprzedaży ultraniskoszumowy tranzystor heterozłączowy FET o symbolu NE3520S03, przeznaczony do zastosowań w aplikacjach małosygnałowych, przede wszystkim w konwerterach LNB anten satelitarnych.

NE3520S03 pracuje w optymalnych warunkach polaryzacji V_DS=2V i I_D=10mA. Charakteryzuje się pasmem 20 GHz i współczynnikiem szumów 0,65dB, mniejszym o 0,05dB od tranzystorów poprzednich wersji.

Zapewnia wzmocnienie (Ga) wynoszące typowo 13,5dB na częstotliwości 20 GHz. Jest produkowany w 4-wyprowadzeniowej plastikowej obudowie micro-X.