MOSFET ze sprzężeniem optycznym o małej pojemności wyjściowej i małym prądzie upływu
Firma Renesas Electronics opracowała nowy tranzystor MOSFET wyposażony w wewnętrzne sprzężenie optyczne, pozwalający całkowicie odizolować galwanicznie obwód sterowania od obwodu wyjściowego. PS7901D-1A to element podobny w działaniu do przekaźnika półprzewodnikowego, natomiast odznaczający się mniejszymi wymiarami i większą szybkością przełączania.
Zawiera trzy struktury wewnętrzne: wejściową diodę emisyjną LED przekształcającą impulsy elektryczne na optyczne, sprzężoną z nią diodę fotowoltaiczną PVD przekształcającą impulsy optyczne z powrotem na elektryczne oraz tranzystora MOSFET.
Całość została zamknięta w 4-wyprowadzeniowej obudowie SMD o powierzchni 2,9 x 2,3mm i zapewnia izolację na poziomie 500V rms. Wewnętrzny MOSFET charakteryzuje się małą pojemnością wyjściową (0,75pF) wynikającą z zastosowania technologii SOI i bardzo małym prądem upływu równym 30pA. Pracuje z maksymalnymi parametrami obwodu wyjściowego 40V/120mA.
