Tranzystor JFET SiC 1200V SJDP120R045 o rezystancji kanału 45mΩ
Firma SemiSouth Laboratories opracowała nowy małostratny tranzystor JFET na bazie węglika krzemu charakteryzujący się rekordowo małą rezystancją kanału (RDS(ON)=45mΩ) przy dużym napięciu przebicia (BVDSS=1200V).
SJDP120R045 jest dostarczany w dwóch wersjach: w obudowie TO-247 oraz w postaci nieobudowanej struktury półprzewodnikowej (ozn. SJDC120R045). Jest tranzystorem normalnie włączonym, charakteryzującym się od 4- do 10-krotnie mniejszą energią potrzebną do przełączenia w stosunku do innych 1200-woltowych tranzystorów mocy.
Od rozpoczęcia produkcji tego typu elementów w 2008 roku, SJDP120R045 jest już szóstym tranzystorem JFET SiC w ofercie SemiSouth. Może znaleźć zastosowanie w systemach energii odnawialnej (panele słoneczne, farmy wiatrowe), grzejnikach indukcyjnych, układach napędowych, układach korekcji PFC i zasilaczach.
Zapewnia najmniejszą rezystancję RDS(ON) spośród wszystkich dostępnych obecnie tranzystorów SiC, uzyskaną przy stosunkowo małej powierzchni struktury półprzewodnikowej.
Do jego zalet należy też zaliczyć dodatni współczynnik temperaturowy ułatwiający równoległe łączenie tranzystorów, dużą dopuszczalną temperaturę pracy złącza (+175°C) i bardzo krótkie czasy przełączania. Dopuszczalny ciągły prąd drenu wynosi 48A w temperaturze +25°C (140A w impulsie) oraz 30A w temperaturze +100°C.
