Pamięci FRAM o pojemności do 256Kb z interfejsem SPI
Fujitsu Semiconductor rozpoczyna produkcję pamięci FRAM z interfejsem SPI w nowym procesie technologicznym 0,18µm. Przejście z technologii 0,35µm do 0,18µm pozwoliło na zmniejszenie wymiarów obudów tych elementów do wartości porównywalnych z pamięciami EEPROM.
Pamięci FRAM (Ferroelectric RAM) łączą zalety pamięci SRAM i Flash: krótki czas zapisu i nieulotną matrycę. Obecna oferta Fujitsu obejmuje trzy układy produkowane w technologii 0,18µm, MB85RS256A, MB85RS128A i MB85RS64A o pojemnościach odpowiednio 256, 128 i 64Kb.
Charakteryzują się one zakresem napięć zasilania 3,0…3,6V, niezawodnością 10 miliardów cykli i 10-letnim czasem przechowywania danych. Mogą być taktowane z maksymalną częstotliwością 25 MHz. Są zamykane w obudowach SOP-8 o rozkładzie wyprowadzeń zgodnym z pamięciami EEPROM.
W ofercie Fujitsu dostępne są też pamięci FRAM z interfejsami I2C i równoległym, których pojemności wynoszą od 16Kb do 4Mb.
